第779章 春节礼物，打击一片厂家（第2 / 10页）
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要不然你的光刻胶对工艺的要求很高的话，就会导致良品率变低，生产成本变高。
“这么说来，我们的euv光刻胶生产出来之后，立马就可以开始取代jsr等厂家的同类产品了？”
这个问题是曹阳最关注的问题。
毕竟作为老板，肯定是要看重结果的。
在结果好的情况下，再去关注过程。
至于抗刻蚀比，这一性能通常是以刻蚀胶的速度与刻蚀衬底材料的速度之比来表示的，又称之为选择比。
举個例子，如果某一光刻胶与硅的抗刻蚀比为10，这表明当刻蚀硅的速度为1μ/时，光刻胶的刻蚀速度只有100n/。
抗刻蚀比的高低也决定了需要多厚的胶层才能实现对衬底一定深度的刻蚀。
而曝光宽容度，南山化学一上来就能做到跟jsr差不多的水平，也是非常不容易的。
这个指标有什么意义呢？
否则的话没有好结果，什么都是没有意义的。
“是的，其他的指标，不管是热流动性还是膨胀性能，还是粘度和保质期都是不比人家要差。”
“到时候我们可以形成全系列的芯片生产用光刻胶的生产，让进口光刻胶慢慢的退出华夏市场。”
“下一步甚至还可以进一步的开发液晶显示屏用光刻胶等其他类型的光刻胶，让我们的生产线的产能可以充分的利用起来。”
光刻时使用的曝光剂量偏离了最佳曝光剂量，仍能获得较好的图形，说明这款光刻胶具有较大的曝光宽容度。
正常情况下，光刻胶拥有一个最佳的曝光剂量，在光刻时，应该使整个晶圆包表面的曝光剂量一致，且尽可能接近最佳曝光剂量。
但是实际生产过程中，由于受外界环境的影响必然会有剂量的偏差。
曝光宽容度大的胶受曝光能量浮动或不均匀的影响较小，更适合生产需求。
所以这个指标好，对于南山半导体来说是很有意义的。